特許
J-GLOBAL ID：200903008478785867
トレンチゲート型炭化珪素半導体装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
山本 浩
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-252194
公開番号（公開出願番号）：特開2008-078174
出願日： 2006年09月19日
公開日（公表日）： 2008年04月03日
要約：
【課題】トレンチゲート構造を有するSiC半導体装置であって、ソースコンタクト領域の深さが、SiC半導体基板におけるイオン注入条件の実用的観点からの制限のため、0.2μm〜0.5μm以下のように小さい場合であっても、SiC半導体特性に悪影響を与えることなく、高ドープ多結晶シリコン層からなるゲート電極を確実にエッチバック技術により形成できる構造を有するトレンチゲート型炭化珪素半導体装置を提供すること。【解決手段】厚さが0.5μm以上である絶縁膜20を、フィールド絶縁膜20としてSiC上に形成し、このフィールド絶縁膜20上に形成されるゲート電極引き出し配線12aを除いては、ゲート電極12の上端は、このフィールド絶縁膜20の上端と下端の間にあるトレンチゲート型MOSFETとする。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
炭化珪素半導体基板の一方の主面に一導電型ドリフト層と、他導電型ボディ層と、所要のパターンの一導電型ソースコンタクト領域および他導電型ボディコンタクト領域を有するコンタクト層とをこの順に少なくとも備える積層炭化珪素半導体基板であって、前記一導電型ソースコンタクト領域表面から、少なくとも前記ドリフト層または該ドリフト層に接する同導電型層に達する深さのトレンチを備え、該トレンチ凹部内面にはゲート絶縁膜を介して埋設されるゲート電極を有し、該ゲート電極は前記積層炭化珪素半導体基板表面に引き出され、この基板表面でフィールド絶縁膜を介して載置され、かつこの基板表面の一部に形成されているゲートパッドへ接続されるゲート電極引出し配線を有し、該ゲート電極引出し配線を除く前記ゲート電極上に層間絶縁膜を介して覆うと共に前記一導電型ソースコンタクト領域および他導電型ボディコンタクト領域の表面に共通に接触する一方の金属電極を備え、炭化珪素半導体基板の他方の主面に他方の金属電極を備えるトレンチゲート型炭化珪素半導体装置において、前記ソースコンタクト領域の厚さが0.5μm以下であり、前記フィールド絶縁膜の厚さが0.5μm以上であって、前記ゲート電極の上端は、前記フィールド絶縁膜の膜厚の上端と前記ソースコンタクト領域の上端の間にあることを特徴とするトレンチゲート型炭化珪素半導体装置。
IPC (2件)：
FI (3件)：
H01L29/78 652T
, H01L29/78 653A
, H01L29/78 652H
出願人引用 (1件)
審査官引用 (5件)
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