特許

J-GLOBAL ID：200903008485860939

薄膜キャパシタの製造方法

発明者： 山田 一 ,  田中 伸治
出願人/特許権者： 株式会社村田製作所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-371055
公開番号（公開出願番号）：特開2001-189422
出願日： 1999年12月27日
公開日（公表日）： 2001年07月10日
要約：

【要約】【課題】 小型の集積回路にも好適に使用することができ、結晶性が良好で抵抗劣化の抑制された、安定した特性を有する薄膜キャパシタの製造方法を提供する。【解決手段】 薄膜キャパシタを構成する誘電体薄膜を、一般式ABO3の化学式で表される酸化物誘電体で構成し、かつこの酸化物誘電体をECRスパッタリング法を用いて作製し、かつこの誘電体薄膜は0.82≦A/B≦0.97を満たす膜組成を有している。

請求項（抜粋）：

基板上に下部電極、誘電体薄膜、上部電極を順次積層形成してなる薄膜キャパシタの製造方法であって、前記誘電体薄膜はECRスパッタリング法を用いて作製された一般式ABO3の化学式で表される酸化物であり、かつ前記誘電体薄膜は0.82≦A/B≦0.97を満たす組成を有していることを特徴とする薄膜キャパシタの製造方法。

IPC (7件)：

H01L 27/04 ,  H01L 21/822 ,  C23C 14/08 ,  H01L 21/203 ,  H01L 21/316 ,  H01L 27/108 ,  H01L 21/8242

FI (5件)：

C23C 14/08 K ,  H01L 21/203 S ,  H01L 21/316 Y ,  H01L 27/04 C ,  H01L 27/10 651

Fターム (26件)：

4K029BA50 ,  4K029BB07 ,  4K029BC00 ,  4K029BD01 ,  4K029DC48 ,  5F038AC05 ,  5F038AC14 ,  5F038EZ11 ,  5F038EZ20 ,  5F058BA11 ,  5F058BA20 ,  5F058BC03 ,  5F058BC04 ,  5F058BF14 ,  5F058BJ01 ,  5F083FR01 ,  5F083JA13 ,  5F083PR22 ,  5F103AA08 ,  5F103DD30 ,  5F103HH03 ,  5F103LL20 ,  5F103NN04 ,  5F103NN05 ,  5F103RR04 ,  5F103RR05