特許
J-GLOBAL ID：200903008487254335
化合物半導体の結晶成長方法および半導体装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
佐藤 幸男 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-120207
公開番号（公開出願番号）：特開平10-303509
出願日： 1997年04月23日
公開日（公表日）： 1998年11月13日
要約：
【要約】【課題】 回折格子4の形状および高さを変えることなく、確実に回折格子4を保存した状態で、この回折格子4が形成された化合物半導体2上に、他の化合物半導体3を成長させる。【解決手段】 表面に回折格子4が形成された第1の化合物半導体2上に、有機金属気相成長法を用いて、回折格子4を覆うように、第1の化合物半導体2と材料を異にする第2の化合物半導体3を適正な結晶成長温度で結晶成長させるに先立ち、当該結晶成長温度よりも低い結晶成長温度で、回折格子4を覆うように第2の化合物半導体3からなるバッファ層3aを形成した後、該バッファ層上に、第2の化合物半導体3bを適正な結晶成長温度で成長させる。
請求項（抜粋）：
表面に回折格子が形成された第1の化合物半導体上に、有機金属気相成長法を用いて、前記第1の化合物半導体と材料を異にする第2の化合物半導体を前記回折格子を覆うように結晶成長させる方法であって、前記第1の化合物半導体上に前記第2の化合物半導体を適正な結晶成長温度で成長させるに先立ち、当該結晶成長温度よりも低い結晶成長温度で前記回折格子を覆うように、前記第2の化合物半導体からなるバッファ層を形成すること、該バッファ層上に、前記第2の化合物半導体を適正な結晶成長温度で成長させることを含む、有機金属成長法を用いた化合物半導体の結晶成長方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
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