特許
J-GLOBAL ID:200903008487612800

真空成膜方法及び真空成膜装置

発明者:
出願人/特許権者:
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2003-202147
公開番号(公開出願番号):特開2005-044593
出願日: 2003年07月28日
公開日(公表日): 2005年02月17日
要約:
【課題】基板における蒸着材料の蒸着層の膜厚分布のばらつきを防止し、蒸着層の膜厚分布の均一化を確実に図ることができる真空成膜方法及び真空成膜装置の提供する。【解決手段】蒸着材料を発散させる蒸着源16と基板を対向させ、基板と蒸着源16との間隔を保ちつつ蒸着源16及び基板を相対移動させ、蒸着源16からの蒸着材料を基板に堆積させることにより蒸着層を形成する真空成膜方法であって、蒸着材料を一定の幅にて帯状に蒸着源16から発散させ、帯状に発散される蒸着材料の幅方向と直角方向である第1の方向と、第1の方向と異なる第2の方向を含むように、蒸着源16及び基板を相対移動させる。【選択図】 図2
請求項(抜粋):
蒸着材料を発散させる蒸着源と基板を対向させ、基板と蒸着源との間隔を保ちつつ蒸着源及び基板を相対移動させ、蒸着源からの蒸着材料を基板に堆積させることにより蒸着層を形成する真空成膜方法であって、 蒸着材料を一定の幅にて帯状に蒸着源から発散させ、帯状に発散される蒸着材料の幅方向と直角方向である第1の方向と、第1の方向と異なる第2の方向を含むように、蒸着源及び基板を相対移動させることを特徴とする真空成膜方法。
IPC (3件):
H05B33/10 ,  C23C14/24 ,  H05B33/14
FI (4件):
H05B33/10 ,  C23C14/24 C ,  C23C14/24 J ,  H05B33/14 A
Fターム (10件):
3K007AB18 ,  3K007DB03 ,  3K007FA01 ,  4K029BD00 ,  4K029CA00 ,  4K029CA01 ,  4K029DB23 ,  4K029HA01 ,  4K029JA01 ,  4K029KA01

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