特許

J-GLOBAL ID：200903008489946048

荷電粒子線転写方法

発明者： 沖野 輝昭
出願人/特許権者： 株式会社ニコン
代理人 (1件)： 永井 冬紀
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-150400
公開番号（公開出願番号）：特開平8-064522
出願日： 1995年06月16日
公開日（公表日）： 1996年03月08日
要約：

【要約】【目的】 マスク側光学的フィールドの制約による感応基板側光学的フィールドの無駄を解消して高スループットを実現できる転写方法を提供する。【構成】 感応基板の特定範囲101に転写すべきパターンをマスク上の複数の小領域SF1,SF2に分割して形成し、小領域SF1,SF2を一回の照射範囲とする荷電粒子線の照射を繰り返しかつ小領域SF1,SF2に対応する感応基板上の被転写領域PFが感応基板上で互いに接するように感応基板へのパターン転写位置を調整して感応基板上の特定範囲101に所定のパターンを転写する方法において、感応基板の特定範囲101に転写すべきパターンをマスクの小領域SF1,SF2に分割して設ける際に、分割後のパターン形状が等しくなるものPF1(PF2)を共通の小領域SF1(SF2)に集約し、転写時には共通の小領域SF1(SF2)のパターンを感応基板上の複数の位置に転写する。

請求項（抜粋）：

感応基板の特定範囲に転写すべきパターンをマスク上で互いに離間する複数の小領域に分割して形成し、前記小領域を照射単位としてマスクへの荷電粒子線の照射を繰り返すとともに、前記小領域に対応する感応基板上の被転写領域が感応基板上で互いに接するように感応基板へのパターン転写位置を調整して前記感応基板上の前記特定範囲に所定のパターンを転写する荷電粒子線転写方法において、前記感応基板の特定範囲に転写すべきパターンを前記マスクの前記小領域に分割して設ける際に、分割後のパターン形状が等しくなるものを共通の小領域に集約し、転写時には前記共通の小領域のパターンを感応基板上の複数の位置に転写することを特徴とする荷電粒子線転写方法。

IPC (4件)：

H01L 21/027 ,  G03F 7/20 504 ,  G03F 7/20 506 ,  G03F 7/20 521

FI (2件)：

H01L 21/30 541 R ,  H01L 21/30 551

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 荷電粒子ビーム描画方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-311698   出願人：日本電子株式会社
• 特開平4-088626
  
• 特開平4-088626