電子写真感光体およびその製造方法

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-334195
公開番号（公開出願番号）：特開2001-154388
出願日： 1999年11月25日
公開日（公表日）： 2001年06月08日
要約：

【要約】【課題】本発明は、ボロンを添加したアモルファスシリコン感光体において、ボロン添加を増加すると光感度が向上するものの十分な帯電能が得られず、ボロン添加量を減少させると帯電能は向上するものの十分な光感度が得られないという問題を解決することを目的とする。【解決手段】アモルファスシリコン感光体を成膜する際に、プラズマCVD装置内に原料ガスと共に導入するジボランガスの添加量を、アモルファスシリコン感光層の厚みに応じた所定範囲内として、且つ、アモルファスシリコン感光層の感光層表面側領域内におけるボロン濃度が、基体側が多く、表面側が少なくなるような勾配を設けて成膜するアモルファスシリコン電子写真感光体の製造方法を提供して、上記した課題を解決する。

請求項（抜粋）：

支持基体上に、ボロンを含むアモルファスシリコンを主成分とする光導電物質からなる少なくとも20ミクロン以上の厚みを有する感光層をCVD法を用いて形成する電子写真感光体の製造方法において、前記感光層に含有されるボロンは、該感光層を形成する原料ガスと共にボロン含有ガスを同時に供給したものであり、前記ボロン含有ガスは、該感光層に含まれるボロン添加量が、前記支持基体側に比べて表面側が少なくなるように、少なくとも感光層表面から15ミクロンまでの深さの領域において次の関係式(1)の範囲内の添加量としていることを特徴とする、アモルファスシリコン電子写真感光体の製造方法。 (1) -0.5+0.0173×d<dB<0.2+0.0173×dここで、dは感光層の表面側からの深さ(ミクロン)、dBはCVD法により形成する際に用いる原料ガス中に占めるボロン含有ガスの添加量(ppm)を示し、dBは0よりも大きい。

IPC (2件)：

G03G 5/08 316 , G03G 5/08 360

FI (2件)：

G03G 5/08 316 , G03G 5/08 360

Fターム (6件)：

2H068DA28 , 2H068DA35 , 2H068EA02 , 2H068EA24 , 2H068FA12 , 2H068FA13

前のページに戻る