特許

J-GLOBAL ID：200903008497209427

フッ素化合物含有ガスの処理方法および触媒

発明者： 菅野 周一 ,  池田 伸三 ,  安田 健 ,  山下 寿生 ,  小豆畑 茂 ,  玉田 慎 ,  入江 一芳
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-046824
公開番号（公開出願番号）：特開平11-244656
出願日： 1998年02月27日
公開日（公表日）： 1999年09月14日
要約：

【要約】【課題】CF4,CHF3,C3F8,C4F8から選ばれたフッ素化合物を効率良く分解処理する。【解決手段】CF4,CHF3,C3F8,C4F8から選ばれたフッ素化合物を含むガス流を、水蒸気の存在下でAlとZn,AlとNi又はAlとNiとZnからなる触媒のいずれかと約200〜800°Cで接触させて、前記ガス流中のフッ素をフッ化水素に転化する。

請求項（抜粋）：

フッ素化合物含有ガスをフッ素化合物分解触媒の下で加水分解してフッ化水素を含む分解生成物を生成する方法であって、CF4 あるいはCHF3 からなるフッ素化合物をAlとZnからなる触媒によって処理し、C4F8からなるフッ素化合物をAlとZnからなる触媒あるいはAlとZnとNiからなる触媒によって処理し、C3F8からなるフッ素化合物をAlとNiからなる触媒によって処理することを特徴とするフッ素化合物含有ガスの処理方法。