特許
J-GLOBAL ID:200903008509052871

ペルチェ素子搭載用基板およびペルチェ素子搭載基板の製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 深見 久郎 (外2名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2000-009779
公開番号(公開出願番号):特開2001-203398
出願日: 2000年01月19日
公開日(公表日): 2001年07月27日
要約:
【要約】【課題】 機械的強度が高く、かつ高放熱特性を有するペルチェ素子搭載基板を提供する。【解決手段】 金属などにより構成されるヒートシンク107a,107b上の複数箇所に、両面がメタライズされたセラミック105a〜105lが銀ろう103a〜103lにより接続される。そして、セラミック105a〜105lにペルチェ素子101a〜101kが配置されることで、ペルチェ素子101a〜101kが直列に接続される。
請求項(抜粋):
ヒートシンクと、前記ヒートシンク上に複数個配置されたセラミックとを備え、前記複数個配置されたセラミックの各々にペルチェ素子が配置されることを特徴とする、ペルチェ素子搭載用基板。
IPC (4件):
H01L 35/32 ,  H01L 35/08 ,  H01L 35/30 ,  H01L 35/34
FI (4件):
H01L 35/32 A ,  H01L 35/08 ,  H01L 35/30 ,  H01L 35/34

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