特許

J-GLOBAL ID：200903008510146707

半導体式サージアブソーバ

発明者： 古屋田 栄 ,  阿部 政利 ,  曽江 武司 ,  畑野 桂司 ,  伊藤 隆明
出願人/特許権者： 三菱マテリアル株式会社
代理人 (1件)： 須田 正義
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-034783
公開番号（公開出願番号）：特開平8-236312
出願日： 1995年02月23日
公開日（公表日）： 1996年09月13日
要約：

【要約】【目的】 雷サージのような瞬間的なサージ電圧を吸収することに加えて、耐熱性及び耐湿性に優れ、製造コストを低減し得る。プリント回路基板に表面実装することもできる。【構成】 半導体式サージアブソーバ10は、2端子サイリスタ構造の半導体チップ11と、この半導体チップ11の2端子を構成する両端面に当接された一対の電極12,13と、これらの電極12,13が当接された半導体チップ11を包みかつ不活性ガスを満たして一対の電極12,13の外周に封着された絶縁性管体14とを備える。

請求項（抜粋）：

2端子サイリスタ構造の半導体チップ(11,21)と、前記半導体チップ(11,21)の2端子を構成する両端面に当接された一対の電極(12,13,22,23)と、前記一対の電極(12,13,22,23)が当接された半導体チップ(11,21)を包みかつ不活性ガスを満たして前記一対の電極(12,13,22,23)の外周に封着された絶縁性管体(14,24)とを備えた半導体式サージアブソーバ。

IPC (3件)：

H01C 7/12 ,  H01L 29/74 ,  H02H 9/04

FI (3件)：

H01C 7/12 ,  H02H 9/04 A ,  H01L 29/74 K