特許
J-GLOBAL ID:200903008517695595

結晶を正確に引き揚げるための方法及び装置

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 青山 葆 (外1名)
公報種別:公表公報
出願番号(国際出願番号):特願2000-576086
公開番号(公開出願番号):特表2002-539060
出願日: 1999年10月12日
公開日(公表日): 2002年11月19日
要約:
【要約】チョクラルスキー結晶成長装置内で、モノクリスタルインゴットを正確に引き揚げる方法及び装置に関する。結晶成長装置は、溶融物に対して、インゴットを引き揚げ且つ下げるための、ドラムに巻かれたケーブルを有する。モータは種々のスピードでドラムを回転させて種々の速度で溶融物からインゴットを引き揚げ、検出器はドラムの回転動作を検出し位置信号を生成する。メモリは、溶融物からインゴットを引き揚げる目標速度を、インゴットの長さの関数として定義する所定の速度プロファイルを格納する。位置信号と速度プロファイルに応答するコントローラは、インゴットを引き揚げるモータの速度を制御する。コントローラは、位置信号を基礎にしてインゴットの実際の引き揚げ速度を判定し、それを、速度プロファイルにより定義される目標引き揚げ速度と比較する。そしてコントローラは、インゴットの長さの少なくとも約50%の引き揚げの間、実際のインゴット引き揚げ速度が目標引き揚げ速度と略等しくなるように維持すべく、モータのスピードを制御する。名目引き揚げ速度をセットし、名目引き揚げ速度に対応するセットポイントの関数としてモータにエネルギを与え、実際の引き揚げ速度と名目引き揚げ速度との差異が、しきい値レベル以下になるまで、セットポイントを調整することにより、較正が認められる。
請求項(抜粋):
結晶成長装置を利用してチョクラルスキー過程に従いモノクリスタルインゴットを成長させる方法であって、 上記結晶装置はインゴットが成長する半導体溶融物を含む加熱るつぼを有し、 上記インゴットは溶融物から引き揚げられる種晶上に成長し、 上記結晶成長装置は更に、種晶が吊られるケーブルと、そのケーブルの一部が巻かれるドラムとを有し、 上記ドラムは、溶融物からインゴットを引き揚げるためにケーブルを巻き取る方向に回転可能であって、且つ、インゴットを溶融物の方向に下げるためにケーブルを解く逆方向に回転可能であり、 上記方法は、 溶融物からインゴットを引き揚げる目標速度を、インゴットの長さの関数として定義する所定の速度プロファイルを定義する工程と、 ドラムを回転するためドラムと連結するシャフトを有するモータを用いて、種々のスピードでドラムを回転させることにより、種々の速度で溶融物からインゴットを引き揚げる工程と、 ドラムの回転動作を検出する工程と、 ドラムに関する検出された回転動作を示す、位置信号を生成する工程と、 位置信号を基礎にするインゴットの実際の引き揚げ速度を判定する工程と、 実際のインゴット引き揚げ速度を、速度プロファイルにより定義される目標引き揚げ速度と比較する工程と、 インゴットの長さの少なくとも約50%の引き揚げの間、実際のインゴット引き揚げ速度が目標引き揚げ速度と略等しくなるように維持すべく、モータのスピードを制御する工程とを、含む方法。
IPC (3件):
C30B 15/20 ,  C30B 29/06 502 ,  C30B 29/06
FI (3件):
C30B 15/20 ,  C30B 29/06 502 H ,  C30B 29/06 502 J
Fターム (8件):
4G077AA02 ,  4G077BA04 ,  4G077CF10 ,  4G077EH09 ,  4G077PF03 ,  4G077PF07 ,  4G077PF13 ,  4G077PF17

前のページに戻る