特許

J-GLOBAL ID：200903008518758272

単結晶製造装置

発明者： 藤井 信三 ,  梅澤 浩光
出願人/特許権者： 富士電気化学株式会社
代理人 (1件)： 松井 伸一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-217463
公開番号（公開出願番号）：特開平6-048885
出願日： 1992年07月24日
公開日（公表日）： 1994年02月22日
要約：

【要約】【目的】 単結晶の成長に関した異常発生時に、るつぼ内の熔融原料の汚染を防止でき、装置各部の損傷を防げてその保護を図れる単結晶製造装置を提供する。【構成】 パイプ通路80を、シードホルダ61により吊した種結晶70の適所に至って延設し、かつ先端に吹出リング8を設け、上端は開閉弁81を介して冷却媒体のタンク82へ連通する。単結晶7の成長異常を検知するための過負荷モニタ9を回転機構64に付設し、異常検知時に開閉弁81を開弁する。冷却媒体がパイプ通路80を流通して吹出リング8へ噴出するので、それによって種結晶70の適所を選択的に切断でき、ロードセル63等へ無理な力が作用しない。

請求項（抜粋）：

種結晶をシードホルダにより吊して、るつぼ内の熔融原料に接触させた後に引上げることにより当該先端部に単結晶を成長させる単結晶製造装置において、上記単結晶の成長に関して異常を検知する検知手段と、上記検知手段によって単結晶の成長異常が検知されたとき、上記シードホルダに吊されている種結晶を切断するため当該種結晶の適所に対して冷却媒体を噴射する急冷手段とを備えたことを特徴とする単結晶製造装置。

IPC (3件)：

C30B 15/00 ,  C30B 15/20 ,  C30B 15/32