特許

J-GLOBAL ID：200903008526129977

半導体記憶装置

発明者： 茶谷 茂雄
出願人/特許権者： 松下電子工業株式会社
代理人 (1件)： 宮井 暎夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-224345
公開番号（公開出願番号）：特開2000-057780
出願日： 1998年08月07日
公開日（公表日）： 2000年02月25日
要約：

【要約】【課題】アクセスタイムの小さいシリアル入出力型の大容量可能な半導体記憶装置を提供する。【解決手段】フローティングゲートを有する不揮発性メモリトランジスタで構成された第1のメモリセルとこの第1のメモリセルのデータを増幅する第1のセンスアンプとを有するメモリコアブロックCB100、CB101と、2個の強誘電体キャパシタとこれらの強誘電体キャパシタを制御する2個のMISトランジスタによって構成された第2のメモリセルとこの第2のメモリセルのデータを増幅する第2のセンスアンプとを有するメモリコアブロックCB0、CB1と、シフトレジスタ回路SR100、SR101、SR0、SR1を備えている。

請求項（抜粋）：

フローティングゲートを有する不揮発性メモリトランジスタで構成された第1のメモリセルと、この第1のメモリセルのデータを増幅する第1のセンスアンプと、2個の強誘電体キャパシタとこれらの強誘電体キャパシタを制御する2個のMISトランジスタによって構成された第2のメモリセルと、この第2のメモリセルのデータを増幅する第2のセンスアンプと、前記第1のセンスアンプに接続された第1のシフトレジスタ回路と、前記第2のセンスアンプに接続された第2のシフトレジスタ回路とを備えた半導体記憶装置。

IPC (3件)：

G11C 14/00 ,  G11C 11/22 ,  G11C 16/02

FI (3件)：

G11C 11/34 352 A ,  G11C 11/22 ,  G11C 17/00 613

Fターム (13件)：

5B024AA01 ,  5B024AA07 ,  5B024AA15 ,  5B024BA01 ,  5B024BA09 ,  5B024BA21 ,  5B024CA16 ,  5B025AA01 ,  5B025AC01 ,  5B025AD05 ,  5B025AD15 ,  5B025AE05 ,  5B025AE06