特許

J-GLOBAL ID：200903008532050622

半導体装置及びその製法

発明者： 松本 聡 ,  谷内 利明 ,  有本 由弘 ,  堀江 博
出願人/特許権者： 日本電信電話株式会社 ,  富士通株式会社
代理人 (1件)： 田中 正治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-233872
公開番号（公開出願番号）：特開平10-079511
出願日： 1996年09月04日
公開日（公表日）： 1998年03月24日
要約：

【要約】 (修正有)【課題】 横型絶縁ゲート電界効果トランジスタに適用した場合でみて、横型絶縁ゲート電界効果トランジスタとしての機能が、寄生バイポーラ型トランジスタを活性化させることなしに安定に得ることができるようにする。【解決手段】 基板と、その基板上に配されている第1の絶縁層と、その第1の絶縁層上に配されている第1の半導体層と、その第1の半導体層上に配され且つ上記第1の半導体層に比し短いキャリアライフタイムを有する第2の半導体層と、その第2の半導体層上に形成されている第2の絶縁層と、その第2の絶縁層上に形成されている導電層とを有する。

請求項（抜粋）：

基板と、その基板上に配されている第1の絶縁層と、その第1の絶縁層上に配されている第1の半導体層と、その第1の半導体層上に配され且つ上記第1の半導体層に比し短いキャリアライフタイムを有する第2の半導体層と、その第2の半導体層上に形成されている第2の絶縁層と、その第2の絶縁層上に形成されている導電層とを有することを特徴とする半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 29/786 ,  H01L 21/336 ,  H01L 29/41

FI (4件)：

H01L 29/78 627 D ,  H01L 29/44 B ,  H01L 29/78 621 ,  H01L 29/78 626 B