特許

J-GLOBAL ID：200903008534465498

半導体装置

発明者： 波磨 薫
出願人/特許権者： 株式会社東芝 ,  東芝マイクロエレクトロニクス株式会社
代理人 (1件)： 鈴江 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-010631
公開番号（公開出願番号）：特開平5-206278
出願日： 1992年01月24日
公開日（公表日）： 1993年08月13日
要約：

【要約】【目的】この発明は、電源配線のインピ-ダンスの上昇を抑えることにより、電源配線における大きな電圧降下を防止し、回路動作に伴う過渡的な電流の変動に応じて生ずる雑音の発生を減少させることにより、誤動作を少なくする。【構成】第2の層間絶縁膜8 の上には接地配線専用の配線層9 が設けられており、この配線層9 の形状はプレ-ト状となっている。この配線9 の上には一般に用いられているSiO2 より比誘電率の高いプラズマSiNからなる第3の層間絶縁膜10が設けられており、この層間絶縁膜10の厚さは絶縁膜4 および第1、第2の層間絶縁膜6,8 それぞれの厚さより薄く形成されている。前記第3の層間絶縁膜10の上には電源配線専用の配線層12が設けられており、この配線層12の形状はプレ-ト状となっている。従って、電源配線のインピ-ダンスの上昇を防止できる。

請求項（抜粋）：

信号配線層の上方に設けられた第1の絶縁膜と、前記第1の絶縁膜の上に設けられた第1の電源ラインとしてのプレ-ト状の第1の配線層と、前記第1の配線層の上に設けられた第2の絶縁膜と、前記第2の絶縁膜の上に設けられ、前記第1の配線層とともに負荷に電源を供給するための第2の電源ラインとしてのプレ-ト状の第2の配線層と、を具備することを特徴とする半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 21/82 ,  H01L 21/3205 ,  H01L 27/04

FI (2件)：

H01L 21/82 L ,  H01L 21/88 A

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 特開昭64-039042