特許

J-GLOBAL ID：200903008535937407

Si基板上へのGaAs膜の形成方法

発明者： 佐藤 清貴 ,  都倉 健治
出願人/特許権者： クラリオン株式会社
代理人 (1件)： 永田 武三郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-105992
公開番号（公開出願番号）：特開平7-006958
出願日： 1992年03月31日
公開日（公表日）： 1995年01月10日
要約：

【要約】【目的】 Si基板上に鏡面かつ電気的特性の優れたGaAs膜を形成する方法を提案することである。【構成】 反応管1内のSi基板2は高周波誘導加熱装置8によりトリエチルガリウムが供給されている状態で加熱される。即ち、低温エピタキシャル成長温度550°Cで一段目のGaAsのエピタキシャル膜を形成し、その後、高温エピタキシャル温度650°Cで二段目のGaAs膜の成長を行なわせる。

請求項（抜粋）：

Si基板上に低温で鏡面のGaAsエピタキシャル膜を形成し、その後、電気的特性の良い成長温度でGaAs膜を成長させることを特徴とするSi基板上へのGaAs膜の形成方法。

IPC (4件)：

H01L 21/205 ,  C23C 16/18 ,  C30B 29/06 ,  C30B 29/40 502