特許

J-GLOBAL ID：200903008536266204

アルミナの表面メタライズ方法及び接合方法

発明者： 小山 美保 ,  中橋 昌子 ,  荒井 真次 ,  末永 誠一
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 則近 憲佑
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-174917
公開番号（公開出願番号）：特開平5-024958
出願日： 1991年07月16日
公開日（公表日）： 1993年02月02日
要約：

【要約】【目的】 簡便かつ低温の工程により、アルミナ表面への高精度なメタライズ又は接合を可能とする。【構成】 アルミナ基体表面にPVD法によりTi,Zr,Hf等の活性金属薄膜を形成した後、真空中で比較的低温での熱処理を施すことにより、メタライズ又は被接合体との接合を行う。

請求項（抜粋）：

アルミナ基体表面にPVD法によりTi,Zr,Hfの少なくとも1種からなる活性金属薄膜を形成する工程と、真空中で500°C以上前記活性金属薄膜の融点以下で熱処理を施す工程とを具備したことを特徴とするアルミナ表面のメタライズ法。

IPC (2件)：

C04B 41/88 ,  C04B 37/00