パワースイッチデバイス

発明者： , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：山本秀策 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-126084
公開番号（公開出願番号）：特開2003-347550
出願日： 2003年04月30日
公開日（公表日）： 2003年12月05日
要約：

【要約】【課題】本発明の課題は、所与のチップ面積のパワースイッチデバイスにおいて転流エネルギーが高められ得るようなパワースイッチトランジスタを提示することである。【解決手段】本発明によるパワースイッチデバイスの転流回路は、制御素子を有して、各転流サイクルの開始時、または各転流サイクルの開始時からの設定可能な遅延の後、転流端子電圧を短時間の間に低減する。これにより、パワースイッチトランジスタ内で変換された電力は、より大きい期間に割り当てられ、その際、静的な転流電圧が変更されることはない。これによって、転流の第1の瞬間において、パワースイッチトランジスタの電力が小さくなり、その結果、このトランジスタの温度上昇が小さくなる。これによって、エネルギーは、材料上により良好に導かれ得る。

請求項（抜粋）：

誘導負荷部分(L1)を有する負荷回路内に直列にて位置するパワースイッチトランジスタ(T1)と、該パワースイッチトランジスタ(T1)のゲート-ドレイン線およびベース-コレクタ線と並列に位置する転流回路とを備えるパワースイッチデバイスであって、該転流回路は、転流の際に該パワースイッチトランジスタをスイッチオンするための転流端子電圧(UKL)を決定する少なくとも1つのツェナーダイオード(D1b)、ならびに該ツェナーダイオードと直列かつ逆方向に位置する通常のダイオード(D2)を有する、デバイスであって、該転流回路は、各転流サイクル(Tab)の開始時、または該各転流サイクル(Tab)の開始時からの設定可能な遅延(Tz)の後、該転流端子電圧(UKL)を短時間(Tk)の間に低減するために、制御素子(T2、D1a)を有することを特徴とする、パワースイッチデバイス。

IPC (5件)：

H01L 29/78 657 , H01L 29/78 654 , H01L 29/78 655 , H01L 29/78 656 , H02M 1/08

FI (6件)：

H01L 29/78 657 G , H01L 29/78 654 Z , H01L 29/78 655 A , H01L 29/78 656 A , H01L 29/78 657 A , H02M 1/08 A

Fターム (9件)：

5H740AA05 , 5H740BA12 , 5H740BB07 , 5H740BB10 , 5H740BC01 , 5H740BC02 , 5H740JB01 , 5H740KK01 , 5H740MM05

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