特許

J-GLOBAL ID：200903008543888474

エッチング方法及びエッチング装置

発明者： 荻原 俊博
出願人/特許権者： 富士通カンタムデバイス株式会社
代理人 (1件)： 岡本 啓三
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-260931
公開番号（公開出願番号）：特開2001-085410
出願日： 1999年09月14日
公開日（公表日）： 2001年03月30日
要約：

【要約】【課題】エッチング方法に関し、炭素を含まないフッ素化合物ガスを使用して窒素含有の高融点金属膜をエッチングする際に、高精度でエッチングの終点を検出すること。【解決手段】炭素を含まないエッチングガスを使用して窒素原子含有層を第1の領域でエッチングし、前記第1の領域内の生成ガスを第2の領域に導入し、前記第2の領域に炭素含有ガスを導入して前記生成ガスとともにプラズマ化してカーボンナイトライドを発生させ、前記第2の領域で前記カーボンナイトライドの発光強度を測定して該発光強度が所定の値に減衰した時点で前記窒素原子含有層のエッチング終点とする工程を含む。

請求項（抜粋）：

炭素を含まないエッチングガスを使用して窒素原子含有層を第1の領域でエッチングし、前記第1の領域内の生成ガスを第2の領域に導入し、前記第2の領域に炭素含有ガスを導入して前記生成ガスとともにプラズマ化してカーボンナイトライドを発生させ、前記第2の領域で前記カーボンナイトライドの発光強度を測定して該発光強度が所定の値に減衰した時点で前記窒素原子含有層のエッチング終点とすることを特徴とするエッチング方法。

IPC (2件)：

H01L 21/3065 ,  C23F 4/00

FI (3件)：

H01L 21/302 E ,  C23F 4/00 F ,  H01L 21/302 F

Fターム (22件)：

4K057DA01 ,  4K057DA14 ,  4K057DB08 ,  4K057DD03 ,  4K057DE06 ,  4K057DJ03 ,  4K057DM03 ,  4K057DN01 ,  5F004AA09 ,  5F004BA04 ,  5F004BA19 ,  5F004BB13 ,  5F004BC08 ,  5F004CB02 ,  5F004CB14 ,  5F004CB15 ,  5F004DA00 ,  5F004DA01 ,  5F004DA16 ,  5F004DA18 ,  5F004DB12 ,  5F004DB17