特許

J-GLOBAL ID：200903008544063843

ダイヤモンド半導体デバイス

発明者： 西林 良樹 ,  富川 唯司 ,  鹿田 真一
出願人/特許権者： 住友電気工業株式会社
代理人 (1件)： 長谷川 芳樹 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-226235
公開番号（公開出願番号）：特開平7-086620
出願日： 1993年09月10日
公開日（公表日）： 1995年03月31日
要約：

【要約】 (修正有)【目的】 pn接合部で半導体的伝導が支配的になってキャリアを制御可能にすることにより、良好なダイオード特性またはトランジスタ特性が実現されるダイヤモンド半導体デバイスを提供する。【構成】 基板10上には、i型層20、n型層30、i型層21及びp型層40が順次積層して形成され、層30と40の露出した表面に、それぞれ電極層50、51が部分的に選択成長されている。層21では、窒素濃度、ホウ素濃度は夫々層30、40の値未満でこれらの層では、キャリアの伝導として金属的伝導が支配的なので、室温程度においても低抵抗の伝導性が得られる。接合部では逆方向の耐電圧が大きく半導体的伝導が支配的になり、整流性が得られる。

請求項（抜粋）：

n型ドーパントが高濃度にドープされて金属的伝導が支配的になるように形成されたn型ダイヤモンド層と、p型ドーパントが高濃度にドープされて金属的伝導が支配的になるように形成されたp型ダイヤモンド層と、これらダイヤモンド層の間に介在して形成された高抵抗ダイヤモンド層とを備え、前記高抵抗ダイヤモンド層の層厚及びドーパント濃度は半導体的伝導が支配的になる値であることを特徴とするダイヤモンド半導体デバイス。

IPC (2件)：

H01L 29/861 ,  C30B 29/04

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開平3-278474
  
• 特開平4-293272
  
• 特開平1-161759