特許
J-GLOBAL ID：200903008545480243
p型窒化物系III-V族化合物半導体層の作製方法
発明者：
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
杉浦 正知
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-244079
公開番号（公開出願番号）：特開平10-070082
出願日： 1996年08月27日
公開日（公表日）： 1998年03月10日
要約：
【要約】【課題】 p型窒化物系III-V族化合物半導体層の表面荒れ、クラック、結晶性の劣化などの発生を抑えながら、そのp型窒化物系III-V族化合物半導体層に電極を低接触抵抗でオーミック接触させることができるp型窒化物系III-V族化合物半導体層の作製方法を提供する。【解決手段】 有機金属化学気相成長法などによりp型窒化物系III-V族化合物半導体層、例えばp型GaN層3を成長させた後、その表面に気相拡散法や固相拡散法によりMgやZnなどのII族元素を拡散させてp+ 型拡散層4を形成する。これらのII族元素の拡散は例えば500〜700°Cで行う。
請求項（抜粋）：
p型窒化物系III-V族化合物半導体層の表面にII族元素を拡散させるようにしたことを特徴とするp型窒化物系III-V族化合物半導体層の作製方法。
IPC (6件)：
H01L 21/22
, H01L 21/203
, H01L 21/223
, H01L 21/285 301
, H01L 33/00
, H01S 3/18
H01L 21/22 C
, H01L 21/203 M
, H01L 21/223 Y
, H01L 21/285 301 R
, H01L 33/00 C
, H01S 3/18
