特許

J-GLOBAL ID：200903008546334089

半導体装置の製造方法

発明者： 宮島 弘樹
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (2件)： 宮井 暎夫 ,  伊藤 誠
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-320988
公開番号（公開出願番号）：特開2004-158538
出願日： 2002年11月05日
公開日（公表日）： 2004年06月03日
要約：

【課題】有機系反射防止膜及び被加工膜のエッチング工程においてレジスト膜の肩部での落ち込みを低減させ、高精度の加工を実現する。【解決手段】半導体基板11とその上の下地層12上に形成された被加工膜13上に有機系反射防止膜14、レジスト膜15を順次形成し、露光・現像を行って微細パターンを有するレジスト膜15を形成する工程の後、ドライエッチングにより、レジスト膜15をマスクとして有機系反射防止膜14を所望の寸法に加工する工程と、レジスト膜15と有機系反射防止膜14とをマスクとして被加工膜13を所望の寸法に加工する工程とを行う。有機系反射防止膜14を加工する工程の際、エッチングガスとしてSO2を用い、有機系反射防止膜14を加工するとともにレジスト膜肩部に張り出した保護堆積膜16を形成する。これにより、レジスト膜15の肩落ちによるパターン崩れを防ぐことができる。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

半導体基板とその上の下地層上に形成された被加工膜上に有機系反射防止膜、レジスト膜を順次形成し、露光・現像を行って微細パターンを有するレジスト膜を形成する工程の後、ドライエッチングにより、前記レジスト膜をマスクとして前記有機系反射防止膜を所望の寸法に加工する工程と、前記レジスト膜と前記有機系反射防止膜とをマスクとして前記被加工膜を所望の寸法に加工する工程とを行う半導体装置の製造方法であって、前記有機系反射防止膜を加工する工程の際、エッチングガスとしてSO2(二酸化硫黄)を用い、前記有機系反射防止膜を加工するとともにレジスト膜肩部に張り出した保護堆積膜を形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (2件)：

H01L21/3065 ,  H01L21/768

FI (2件)：

H01L21/302 105A ,  H01L21/90 A

Fターム (16件)：

5F004AA09 ,  5F004BA04 ,  5F004DA00 ,  5F004DA15 ,  5F004DA23 ,  5F004DA26 ,  5F004DB03 ,  5F004EA13 ,  5F004EA28 ,  5F004EB01 ,  5F033QQ04 ,  5F033QQ12 ,  5F033QQ15 ,  5F033QQ21 ,  5F033QQ37 ,  5F033RR04