特許
J-GLOBAL ID：200903008551974681
量子ドット固体および従来型固体のパタ-ン化方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
金田 暢之 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-101120
公開番号（公開出願番号）：特開2000-108100
出願日： 1999年04月08日
公開日（公表日）： 2000年04月18日
要約：
【要約】【課題】 本発明は、所定の三次元パターンに一致して材料をパターン化して量子ドット固体を製造する方法を提供することを目的とする。【解決手段】 所定の三次元パターンに一致するように、量子ドット固体をパターン化する方法であって、(a)所定のテンプレイト材料からなり、その中に複数の孔(以下テンプレイト孔という。)を有し、その複数のテンプレイト孔が所定の三次元ネガ型パターンを有するテンプレイトを調製する工程と、(b)前記テンプレイト孔を充填するに充分なナノ結晶を調製する工程と、(c)前記テンプレイト孔を前記ナノ結晶で充填する工程と、(d)所定の三次元パターンに並ぶ前記テンプレイト孔内で、前記ナノ結晶が最密充填ナノ結晶として凝集するようにして、前記テンプレイト孔内でナノ結晶から量子ドット固体を形成する工程とを有する量子ドット固体のパターン化方法。
請求項（抜粋）：
所定の三次元パターンに一致するように、量子ドット固体をパターン化する方法であって、(a)所定のテンプレイト材料からなり、その中に複数の孔(以下テンプレイト孔という。)を有し、その複数のテンプレイト孔が所定の三次元ネガ型パターンを有するテンプレイトを調製する工程と、(b)前記テンプレイト孔を充填するに充分なナノ結晶を調製する工程と、(c)前記テンプレイト孔を前記ナノ結晶で充填する工程と、(d)所定の三次元パターンに並ぶ前記テンプレイト孔内で、前記ナノ結晶が最密充填ナノ結晶として凝集するようにして、前記テンプレイト孔内でナノ結晶から量子ドット固体を形成する工程とを有する量子ドット固体のパターン化方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
B82B 3/00
, H01L 21/368 Z
