特許
J-GLOBAL ID：200903008556459289

高分子固体電解質膜/電極一体成形体及びその製法

発明者：
加藤 博

加藤 博 について


出願人/特許権者：
ジャパンゴアテックス株式会社

ジャパンゴアテックス株式会社 について


代理人 (1件)： 石田 敬 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-131771
公開番号（公開出願番号）：特開平8-329962
出願日： 1995年05月30日
公開日（公表日）： 1996年12月13日
要約：
【要約】【目的】 均一な膜厚及び高強度で必要最低限の厚さの高分子電解質膜と、これと強固に結合し電気的接触が確保された高強度の触媒層とを一体化した高分子固体電解質/電極接合体を提供すること。【構成】 高分子固体電解質樹脂溶液を延伸多孔質PTFEに含浸した後、溶媒を除去して得られた複合高分子固体電解質膜の表面に、延伸多孔質PTFEの空隙中に、少なくとも電極触媒と高分子固体電解質を含む電極構成成分が充填されて成る電極が一体に成形されていることを特徴とする複合高分子固体電解質膜/電極一体成形体。
請求項（抜粋）：
延伸多孔質ポリテトラフルオロエチレンとその多孔質空孔部に含有された高分子固体電解質樹脂とからなる複合高分子固体電解質膜の表面に、延伸多孔質PTFEの空隙中に少なくとも電極触媒と高分子固体電解質を含む電極構成成分を充填して成る電極が一体に形成されていることを特徴とする複合高分子固体電解質膜/電極一体成形体。
IPC (6件)：
H01M 8/02 ,  H01M 4/02 ,  H01M 4/66 ,  H01M 4/88 ,  H01M 8/10 ,  H01M 10/40
FI (6件)：
H01M 8/02 E ,  H01M 4/02 B ,  H01M 4/66 A ,  H01M 4/88 K ,  H01M 8/10 ,  H01M 10/40 B
引用特許：
審査官引用 (3件)

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