特許
J-GLOBAL ID：200903008559942525
バイポーラ半導体装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
柏谷 昭司 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-227679
公開番号（公開出願番号）：特開平9-074104
出願日： 1995年09月05日
公開日（公表日）： 1997年03月18日
要約：
【要約】【課題】 バイポーラ半導体装置に於いて、GaAsからなるベース層に高濃度にカーボンを取り込んで多くのキャリヤを発生させ、しかも、歪みも緩和可能にしようとする。【解決手段】 ドーパントとしてカーボンを含むと共にアルミニウムが添加され且つインジウム或いはアンチモンの何れか、或いは、両方が添加されたGaAsからなるベース層14を備える。
請求項（抜粋）：
ドーパントとしてカーボンを含むと共にアルミニウムが添加され且つインジウム或いはアンチモンの何れかが添加されたGaAsからなるベース層を備えてなることを特徴とするバイポーラ半導体装置。
IPC (3件)：
H01L 21/331
, H01L 29/73
, H01L 29/205
