特許

J-GLOBAL ID：200903008561813139

保護モールド付き機能デバイス

発明者： 鈴木 準一
出願人/特許権者： 株式会社島津製作所
代理人 (1件)： 杉谷 勉
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-357779
公開番号（公開出願番号）：特開2005-123446
出願日： 2003年10月17日
公開日（公表日）： 2005年05月12日
要約：

【課題】 保護モールドの内部応力によってデバイス機能用膜のうち基板との付着力が弱い部分に不具合が生じることを適切なかたちで防止することができる【解決手段】 この発明の機能デバイスに係るFPDは、放射線感応性半導体膜1のうち絶縁基板2との付着力が特に弱い放射線感応性半導体膜1の外周縁部分は内部応力低減用フィラー添加の内部応力が小さい第1保護モールド6Aが施されているので、放射線感応性半導体膜1のうち絶縁基板2との付着力が弱い部分に膜の剥離などの不具合が生じることを確実に防止できる。また、放射線感応性半導体膜1の内側部分は内部応力低減用フィラー非添加の内部応力が大きい第2保護モールド6Bが施されているので、放射線感応性半導体膜1の内側部分では第2保護モールド6Bによる保護機能が十分に発揮される。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

デバイス機能用膜が基板の上に形成されているとともに、前記デバイス機能用膜の表側にモールド剤を固めて形成した保護モールドが施されているモールド付き機能デバイスにおいて、保護モールドのうち、内部応力が小さい方を第1保護モールドとするとともに、内部応力が大きい方を第2保護モールドとし、デバイス機能用膜のうち基板との付着力が弱い部分には第1保護モールドが施されているとともに、他の部分には第2保護モールドが施されていることを特徴とする保護モールド付き機能デバイス。

IPC (4件)：

H01L23/29 ,  H01L23/31 ,  H01L27/14 ,  H01L31/09

FI (4件)：

H01L23/30 B ,  H01L27/14 D ,  H01L27/14 K ,  H01L31/00 A

Fターム (19件)：

4M109AA01 ,  4M109BA03 ,  4M109EB11 ,  4M109EC04 ,  4M118AA10 ,  4M118AB01 ,  4M118BA05 ,  4M118CB05 ,  4M118CB11 ,  4M118HA12 ,  4M118HA16 ,  4M118HA17 ,  4M118HA26 ,  5F088AB05 ,  5F088BA13 ,  5F088GA02 ,  5F088JA06 ,  5F088JA20 ,  5F088LA08