半導体ウエハー取付基台

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：堀城之
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-340828
公開番号（公開出願番号）：特開平11-163101
出願日： 1997年11月27日
公開日（公表日）： 1999年06月18日
要約：

【要約】【課題】ウエハー研磨装置において、オリフラ付きのウエハーの面内の研磨均一性が得られない。また、生産性が低い。【解決手段】ウエハー取付基台を構成する弾性薄膜5の圧力流体31が接触する側のウエハー外周部に相当する領域に弾性薄膜5と比較して圧力に対する変化量が小さい変形抑制部材6を貼り付ける。これにより、研磨中にオリフラ部71の弾性薄膜の変形を抑制するため、ウエハー面内の研磨均一性が向上する。また、弾性薄膜の外周部のダメージが減少し、弾性薄膜の交換頻度を低減でき、ウエハー研磨装置の稼働率が向上する。

請求項（抜粋）：

ウエハー表面研磨等においてウエハー面内に等分圧力を確保できるようにウエハーを装着可能な部分を備えた半導体ウエハー取付基台であって、圧力流体を密封する弾性薄膜を含み、その弾性薄膜におけるウエハーの外周部に該当する領域の圧力に対する変化量が他の領域の弾性薄膜の圧力に対する変化量よりも低いことを特徴とする、半導体ウエハー取付基台。

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