特許
J-GLOBAL ID：200903008564379812
埋込ヘテロ構造半導体レーザ及びその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
早瀬 憲一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-315541
公開番号（公開出願番号）：特開平5-129723
出願日： 1991年10月31日
公開日（公表日）： 1993年05月25日
要約：
【要約】 (修正有)【目的】 埋込ヘテロ構造の半導体レーザにおいて、n型ブロック層がn型クラッド層とつながることによるリーク電流、及び、高温にさらされた界面に形成されるpn接合の劣化によるリーク電流をなくし、リーク電流が少なく信頼性の高いレーザを得る。【構成】 p型基板1上にp型バッファ層2,活性層3,n型クラッド層4からなるメサの側面にp型領域を形成した後、p型埋込層5,n型ブロック層6,p型ブロック層7を埋込成長する。
請求項（抜粋）：
活性層をクラッド層で挟んだダブルヘテロ構造からなるメサのn型層の側面部に設けたp型反転領域と、上記メサの両側を埋め込むように成長させた電流ブロック層とを備えたことを特徴とする埋込ヘテロ構造半導体レーザ。
引用特許：
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