特許

J-GLOBAL ID：200903008570410772

電子デバイス材料の製造方法

発明者： 菅原 卓也 ,  中西 敏雄 ,  尾▲崎▼ 成則 ,  松山 征嗣 ,  村川 惠美 ,  多田 吉秀
出願人/特許権者： 東京エレクトロン株式会社
代理人 (5件)： 青木 篤 ,  石田 敬 ,  古賀 哲次 ,  吉井 一男 ,  西山 雅也
公報種別：再公表公報
出願番号（国際出願番号）：JP2002000439
公開番号（公開出願番号）：WO2002-058130
出願日： 2002年01月22日
公開日（公表日）： 2002年07月25日
要約：

極めて薄い(例えば2.5nm以下)膜厚を有する絶縁膜としてSiO2膜およびSiON膜を用い、電極としてポリシリコン、アモルファスシリコン、SiGeを用いた良好な電気特性を有する電子デバイス(例えば高性能MOS型半導体装置)構造の製造方法。酸素、および希ガスを含む処理ガスの存在下で、Siを主成分とするウエハW上に平面アンテナ部材SPAを介してマイクロ波を照射することにより、酸素と希ガスとを含むプラズマ(ないし窒素と希ガスとを含むプラズマ、または窒素と希ガスと水素を含むプラズマ)を形成する。このプラズマを用いて前記ウエハ表面に酸化膜(ないし酸窒化膜)を形成し、必要に応じてポリシリコン、アモルファスシリコン、SiGeの電極を形成して電子デバイス構造を形成する。

請求項（抜粋）：

O2および希ガスを少なくとも含む処理ガスの存在下で、複数のスリットを有する平面アンテナ部材を介するマイクロ波照射に基づくプラズマを用いて、Siを主成分とする被処理基体の表面に酸化膜(SiO2膜)を形成することを特徴とする電子デバイス材料の製造方法。

IPC (3件)：

H01L21/316 ,  H01L21/318 ,  H01L29/78

FI (4件)：

H01L21/316 A ,  H01L21/318 C ,  H01L29/78 301F ,  H01L29/78 301G