特許
J-GLOBAL ID：200903008572422859
半導体および半導体装置の作製方法
発明者：
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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-323676
公開番号（公開出願番号）：特開平9-148251
出願日： 1995年11月17日
公開日（公表日）： 1997年06月06日
要約：
【要約】【目的】 結晶化を助長する触媒元素を用いて、結晶性珪素膜を得る。【構成】 ガラス基板11上に絶縁膜を形成し、その表面にニッケル等の触媒元素を10〜200ppm(要調整)添加した水溶液14を滴下する。そして減圧熱CVD法により非晶質珪素膜12上を形成し、さらに加熱処理を行なうことにより、結晶性珪素膜を得る。
請求項（抜粋）：
非晶質珪素膜の下面に接して前記非晶質珪素膜の結晶化を助長する触媒元素を保持させる工程と、前記非晶質珪素膜を加熱処理しその上面の結晶性がその下面の結晶性に比較して高い結晶性を有する結晶性珪素膜を得る工程と、を有する半導体作製方法。
IPC (4件)：
H01L 21/20
, H01L 27/12
, H01L 29/786
, H01L 21/336
H01L 21/20
, H01L 27/12 R
, H01L 29/78 627 G
