特許

J-GLOBAL ID：200903008578597243

化学気相成長装置および化学気相成長方法

発明者： 桃井 元
出願人/特許権者： 株式会社日鉱マテリアルズ
代理人 (1件)： 荒船 博司
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-208518
公開番号（公開出願番号）：特開2004-055672
出願日： 2002年07月17日
公開日（公表日）： 2004年02月19日
要約：

【課題】シート抵抗またはキャリア濃度について優れた均一性を有する(レンジで10%以下)InP系HEMT構造を再現性良く作製できるMOCVD装置を提供する。【解決手段】反応炉と、該反応炉内に設置された回転式サセプタからなる基板保持部(40)と、前記基板保持部の所定の位置に基板を配置するために該基板を収容する基板収容部(51)と、前記基板に向けて原料ガスを供給するためのガス供給手段(20)と、前記基板を加熱するための加熱手段(70)と、前記基板収容部に収容された基板に前記加熱手段からの熱を伝導する熱伝導部(54)と、を備えた化学気相成長装置において、前記熱伝導部を前記基板と全面で接触する平面を有する部材で構成し、さらに前記基板との実効接触面積が90%以上となるようにして、基板全面からの熱伝導により基板を加熱するようにした。【選択図】 図2

請求項（抜粋）：

反応炉と、該反応炉内に設置された回転式サセプタからなる基板保持部と、前記基板保持部の所定の位置に基板を配置するための基板収容部と、前記基板に向けて原料ガスを供給するためのガス供給手段と、前記基板を加熱するための加熱手段と、前記基板収容部に収容された基板に前記加熱手段からの熱を伝導する熱伝導部と、を備えた有機金属原料を用いる化学気相成長装置において、 前記熱伝導部は、前記基板と全面で接触する平面を有する部材で構成され、前記基板との実効接触面積が90%以上であることを特徴とする化学気相成長装置。

IPC (6件)：

H01L21/205 ,  C23C16/458 ,  C23C16/46 ,  H01L21/338 ,  H01L29/778 ,  H01L29/812

FI (4件)：

H01L21/205 ,  C23C16/458 ,  C23C16/46 ,  H01L29/80 H

Fターム (34件)：

4K030AA11 ,  4K030BA02 ,  4K030BA11 ,  4K030BA25 ,  4K030GA02 ,  4K030GA06 ,  4K030KA23 ,  4K030KA46 ,  4K030LA12 ,  5F045AA04 ,  5F045AC01 ,  5F045AC08 ,  5F045AD10 ,  5F045AD11 ,  5F045AE23 ,  5F045AF04 ,  5F045CA07 ,  5F045DP15 ,  5F045DP27 ,  5F045EK14 ,  5F045EK21 ,  5F045EM03 ,  5F045EM09 ,  5F102GB01 ,  5F102GC01 ,  5F102GD01 ,  5F102GJ06 ,  5F102GK04 ,  5F102GL04 ,  5F102GL08 ,  5F102GM04 ,  5F102GN04 ,  5F102GQ01 ,  5F102HC01