特許

J-GLOBAL ID：200903008580846382

引張膜利用型ダブル・ピン・センサ

発明者： デイビッド・エル・アディ ,  ロナルド・ジェイ・ガタリッジ ,  リュビザ・リスティック
出願人/特許権者： モトローラ・インコーポレイテッド
代理人 (1件)： 大貫 進介 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-165013
公開番号（公開出願番号）：特開平6-050986
出願日： 1993年06月11日
公開日（公表日）： 1994年02月25日
要約：

【要約】【目的】 シリコン基板16の上に形成され、総合引張強度を有する積層膜27利用型のダブル・ピン微小機械センサ11。【構成】 積層膜27は、2つのポリシリコン層19,21によって封止される窒化珪素層18によって構成され、この窒化珪素層18が、積層膜に対して総合張力を与える。積層膜27は、支柱17によってシリコン基板の上に支えられており、選択エッチングが施されてセンサ11,13を形成する。

請求項（抜粋）：

引張膜利用型ダブル・ピン・センサであって、前記センサは:シリコン基板;前記シリコン基板の上の第1窒化珪素層;前記第1窒化珪素層の上にあって、容量性プレート,導電路,および複数のサポート領域を形成するためにパターン化されている第1ポリシリコン層;第2ポリシリコン層であって、前記第2ポリシリコン層はヘビー・ドープ(heavily doped )されており、前記第1ポリシリコン層の上にあって、サポート領域に結合された複数の支柱によって、前記第1ポリシリコン層の上に支えられている第2ポリシリコン層;前記第2ポリシリコン層の上にある第2窒化珪素層;第3ポリシリコン層であって、前記第3ポリシリコン層はヘビー・ドープされており、前記第2ポリシリコン層と前記第3ポリシリコン層の間の前記第2窒化珪素層を全面的に封止して、前記第2ポリシリコン層,前記第2窒化珪素層および前記第3ポリシリコン層が、総合引張応力を持った、ウエハ全体に延在する導電積層膜を形成する第3ポリシリコン層;総合引張応力と、前記導電積層膜の選択エッチングによって形成されるセンサ・プレートとを有する複数の導電ビームであって、前記導電ビームは、前記第1窒化珪素層の上に、前記センサ・プレートを所定位置で支える働きをする複数の導電ビーム;および前記支柱および前記導電ビームを含む導電路であって、前記導電路は前記センサ・プレートを、前記シリコン基板上に作られた複数の集積回路素子に電気的に結合する働きをする導電路;によって構成されることを特徴とする引張膜利用型ダブル・ピン・センサ。

IPC (4件)：

G01P 15/125 ,  G01L 1/14 ,  G01L 9/12 ,  H01L 29/84