特許

J-GLOBAL ID：200903008581031110

プラズマエッチング方法

発明者： 縄田 誠 ,  薬師寺 守 ,  西海 正治
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-334951
公開番号（公開出願番号）：特開平7-201814
出願日： 1993年12月28日
公開日（公表日）： 1995年08月04日
要約：

【要約】【目的】クリーニング後のシリコン及び下地膜である酸化膜(SiO2)のエッチング速度の変化を抑制しウエハ間の均一性を向上させるのに好適なプラズマエッチング方法を提供することにある。【構成】クリーニング後Cl2,HBrガスプラズマでシーズニングを行い、クリーニング後の処理室内の残留物の影響を減少させる。【効果】クリーニング後の残留フッ素の影響を抑制しシリコン及び酸化膜のエッチング速度の変動を防止することができる。

請求項（抜粋）：

フッ素を含むガスプラズマによりクリーニングを行い、クリーニング後、塩素ガス(Cl2),臭化水素ガス(HBr)の単独ガスあるいは混合ガスをエッチングガスとして用いてシリコン、多結晶シリコン、シリサイドのエッチングを行うエッチング装置において、クリーニング後にCl2ガス,HBrガスの単独ガスあるいは混合ガスのプラズマで馴らし放電(シーズニングと称す)を行った後エッチングを開始することを特徴とするプラズマエッチング方法。

IPC (3件)：

H01L 21/3065 ,  C23F 4/00 ,  H01L 21/304 341

FI (2件)：

H01L 21/302 N ,  H01L 21/302 F

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開平4-242927
  
• 特開平4-087329
  
• 特開平4-199708
  
• 特開昭61-247031