特許
J-GLOBAL ID:200903008581517129

集積型薄膜太陽電池の製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 佐野 静夫
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平8-223472
公開番号(公開出願番号):特開平10-070295
出願日: 1996年08月26日
公開日(公表日): 1998年03月10日
要約:
【要約】【課題】 集積型薄膜太陽電池の製造方法において、非晶質半導体光電変換層の膜質低下を防ぎ、集積化による発電有効面積損失を低減する。【解決手段】 絶縁表面を有する透光性基板1上に透明導電膜電極3を設ける。第1のスクライブにより透明導電膜電極3を分割する。次に非晶質半導体光電変換層3を設ける。第2のスクライブにより非晶質半導体光電変換層3を分割する。更に裏面電極層5、6を設ける。第3のスクライブにより裏面電極層5、6を分割する際に、裏面電極層5、6にレジストを塗布してレジスト膜7を設け、レーザスクライブによりレジスト膜7の開溝除去を行い、裏面電極層5、6をエッチング液により溶解除去する。
請求項(抜粋):
絶縁表面を有する透光性基板上に透明導電膜電極を設け、第1のスクライブにより前記透明導電膜電極を分割し、次に非晶質半導体光電変換層を設け、第2のスクライブにより前記非晶質半導体光電変換層を分割し、更に裏面電極層を設け、第3のスクライブにより前記裏面電極層を分割する集積型薄膜太陽電池の製造方法において、前記第3のスクライブの際、前記裏面電極層にレジストを塗布してレジスト膜を設けた後に、レーザ光の照射によるスクライブで前記レジスト膜を開溝除去し、前記裏面電極層をエッチング液により溶解除去することを特徴とする集積型薄膜太陽電池の製造方法。
IPC (2件):
H01L 31/04 ,  H01L 21/301
FI (3件):
H01L 31/04 S ,  H01L 21/78 B ,  H01L 21/78 S
引用特許:
審査官引用 (12件)
  • 非晶質シリコン太陽電池およびその製造方法
    公報種別:公開公報   出願番号:特願平3-357812   出願人:旭硝子株式会社
  • 特開昭61-187379
  • 特開昭61-187379
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