半導体装置の製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：高橋光男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-080296
公開番号（公開出願番号）：特開平7-288251
出願日： 1994年04月19日
公開日（公表日）： 1995年10月31日
要約：

【要約】【目的】有機シラン系ガスによるCVD法により、残留水酸基や有機成分が低減され、セルフフロー特性に優れた酸化シリコン系絶縁膜を有する半導体装置の製造方法を提供する。【構成】配線層2により段差が形成された被処理基板上に、酸化剤として過酸化水素を用いて平坦化層間絶縁膜4を形成する。原料ガスにNH3 等の塩基性ガスを添加してもよい。【効果】酸化・脱水反応の促進および中間重合体の制御により、膜質の優れた平坦化層間絶縁膜の形成が可能となる。塩基性ガスの触媒作用により、この効果は一層徹底される。

請求項（抜粋）：

有機シラン系ガスと過酸化水素ガスとを主体とする原料ガスを用いたCVD法により、酸化シリコン系絶縁膜を形成するすることを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (4件)：

H01L 21/316 , C23C 16/40 , H01L 21/205 , H01L 21/768

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