特許

J-GLOBAL ID：200903008587025660

高出力ミリ波MMIC

発明者： 本城 和彦
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-286785
公開番号（公開出願番号）：特開平8-148505
出願日： 1994年11月21日
公開日（公表日）： 1996年06月07日
要約：

【要約】【目的】 高出力ミリ波MMICにおいて、接地のない理想接地と、トランジスタの低熱抵抗化を同時に実現する。【構成】 コプレーナ型整合回路を備えたミリ波帯MMICにおいて、半導体基板表面1に設けられた能動素子に接して放熱用金属バス10が設けられ、この金属バスの一部が放熱用金属バイアホール3により半導体基板裏面に接続されていることを特徴としている。能動素子としてはヘテロ接合バイポーラトランジスタなどに代表されるミリ波帯トランジスタを用い、半導体基板厚は100μm 以上を用いる。

請求項（抜粋）：

コプレーナ型整合回路を備えたミリ波帯MMICにおいて、半導体基板表面に設けられた能動素子に接して放熱用金属ガスが設けられ、この金属バスの一部が放熱用金属バイアホールにより半導体基板裏面に接続されていることを特徴とする高出力ミリ波MMIC。

IPC (4件)：

H01L 21/331 ,  H01L 29/73 ,  H01L 23/12 301 ,  H01L 29/205

FI (2件)：

H01L 29/72 ,  H01L 29/205

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開昭63-164504
  
• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-249398   出願人：シャープ株式会社
• 特開昭61-079261