特許

J-GLOBAL ID：200903008588792800

半導体装置及びその製造方法

発明者： 石田 哲夫
出願人/特許権者： 松下電子工業株式会社
代理人 (1件)： 小鍜治 明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-033071
公開番号（公開出願番号）：特開平5-234935
出願日： 1992年02月20日
公開日（公表日）： 1993年09月10日
要約：

【要約】【目的】 コンタクトホールを有する半導体装置の配線歩留を向上させる。【構成】 Wプラグと、第1の密着層を構成するTi膜4及びTiN膜5との間に、第2の密着層を構成するTi膜7及びTiN膜8を形成して、密着層を二層構造とした。これにより、コンタクトホールをWで埋め込む際に、密着層に生じたクラックが原因で過剰のWF6ガスの半導体基板侵食により生じる、エンクローチメントの発生を阻止することができる。

請求項（抜粋）：

半導体基板と、前記半導体基板に形成されたコンタクトホールと、前記コンタクトホール表面に形成された第1の密着層と、前記第1の密着層上に形成された第2の密着層と、前記第2の密着層上でかつ前記コンタクトホール内に埋め込まれたW膜と、前記W膜上を少なくとも覆った状態に形成されたバリアメタル層とを有することを特徴とする半導体装置。

IPC (4件)：

H01L 21/28 301 ,  H01L 21/285 301 ,  H01L 21/3205 ,  H01L 21/90