特許

J-GLOBAL ID：200903008589273032

GaAsを基本としたMOSFET及びその製品

発明者： アルフレッド イー.チョー ,  ミンウェイ ホン ,  ジェームス ロバート ロシアン ,  ジョセフ ペトラス マナーツ ,  ファン レン
出願人/特許権者： ルーセント テクノロジーズ インコーポレーテッド
代理人 (1件)： 岡部 正夫 (外11名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-041685
公開番号（公開出願番号）：特開平10-242465
出願日： 1998年02月24日
公開日（公表日）： 1998年09月11日
要約：

【要約】【課題】 本発明はGaAsを基本とするMOSFET及びその作製法を提供する。【解決手段】 Ga酸化物を含む層は、もし層が約1:7.5、好ましくは1:4又は1:2以上のGd:Ga原子比を有するGa-Gd酸化物であるなら、HF溶液中で本質的にエッチされないことを見い出した。これにより、オーム性接触アニール後、保護誘電体(典型的な場合SiO2 )の除去が容易になり、Ga-Gd酸化物ゲート酸化物層(512)はエッチストップとして働き、HFエッチャントとの接触によって悪影響は受けない。Ga-Gd酸化物はまたHCl:H2 O中で組成依存性のあるエッチ速度も示す。

請求項（抜粋）：

主表面を有するGaAs基板(51)、第2の伝導形のGaAs材料(52)中に、主表面から延びた第1の伝導形の2つの空間的に離れた領域を含み、前記2つの領域は、それぞれソース(54)及びドレイン領域(53)とよばれ、ソース及びドレイン領域のそれぞれには、金属接触(57、58)が配置され、ソース領域及びドレイン領域間の主表面上に、Gaを含む酸化物層(512)が配置され、前記酸化物層はゲート酸化物層とよばれ、ゲート酸化物層は主表面と界面を形成し、前記ゲート酸化物層上にゲート金属接触(511)が配置された第1のGaAsを基本とする金属/酸化物/半導体電界効果トランジスタ(“MOSFET”)を含む製品において、ゲート酸化物層は1:7.5以上のGd:Ga原子比を有するGd-Ga酸化物であることを特徴とする製品。

IPC (3件)：

H01L 29/78 ,  H01L 21/8234 ,  H01L 27/088

FI (3件)：

H01L 29/78 301 B ,  H01L 27/08 102 C ,  H01L 29/78 301 G