特許
J-GLOBAL ID：200903008590847670

薄膜ガスセンサおよびその製造方法

発明者：
清水 了典

清水 了典 について

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国原 健二

国原 健二 について

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鈴木 卓弥

鈴木 卓弥 について

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都甲 文亨

都甲 文亨 について


出願人/特許権者：
富士電機機器制御株式会社

富士電機機器制御株式会社 について


代理人 (1件)： 山本 浩
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-294281
公開番号（公開出願番号）：特開2007-101459
出願日： 2005年10月07日
公開日（公表日）： 2007年04月19日
要約：
【目的】熱応力によってガス感知部や支持薄膜にクラックが発生しない薄膜ガスセンサおよびその製造方法を提供する。【構成】少なくとも、中央に貫通孔有する基板1と、 この基板面上に形成され、少なくとも、薄膜ヒータ3と、薄膜ヒータ3を被覆する層間絶縁膜4と、その上に形成された金属電極5を有する酸化物半導体を主成分とするガス感知膜6からなる構成部品が、貫通孔11を覆う部分に形成された支持薄膜とからなる薄膜ガスセンサにおいて、支持薄膜には、貫通孔の縁部に沿ってC字形のスリット2sを形成し、構成部品を有する部分の支持薄膜(センサ部2cという)をC字形の開口部に当たる支持薄膜(腕部2b)によってのみ支持するようにする。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
少なくとも、中央に貫通孔有する基板と、 この基板面上に形成され、少なくとも、薄膜ヒータと、薄膜ヒータを被覆する層間絶縁膜と、その上に形成された金属電極を有する酸化物半導体を主成分とするガス感知膜からなる構成部品が、貫通孔を覆う部分に形成された支持薄膜とからなる薄膜ガスセンサにおいて、前記支持薄膜には、前記貫通孔の縁部に沿ってC字形のスリットが形成され、前記構成部品を有する部分の支持薄膜(センサ部という)はC字形の開口部に当たる支持薄膜(腕部)によってのみ支持されていることを特徴とする薄膜ガスセンサ。
IPC (1件)：
G01N 27/12
FI (3件)：
G01N27/12 M ,  G01N27/12 B ,  G01N27/12 C
Fターム (13件)：
2G046AA01 ,  2G046BA01 ,  2G046BA09 ,  2G046BB02 ,  2G046BB04 ,  2G046BB06 ,  2G046BB08 ,  2G046BE03 ,  2G046FB00 ,  2G046FB02 ,  2G046FB06 ,  2G046FE03 ,  2G046FE38
引用特許：
出願人引用 (1件)
  • 特許3555739号公報(第2頁-第3頁、図4)
審査官引用 (7件)
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