多層配線構造およびその製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：船橋国則
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-187675
公開番号（公開出願番号）：特開平6-005714
出願日： 1992年06月22日
公開日（公表日）： 1994年01月14日
要約：

【要約】【目的】本発明は、多層配線構造において、下層の第1の配線と上層の第3の配線とを接続する際に、中層の第2の配線に接触することなく最小の設計寸法になるコンタクトホールを形成して、配線の高密度実装化を図る。【構成】基板11上の第1の配線12を覆う第1の層間絶縁膜13を成膜し、絶縁膜16,17を上面に形成した第2の配線14,15を第1の層間絶縁膜13上に形成する。各第2の配線14,15と各絶縁膜16,17とを覆う第2の層間絶縁膜18を成膜し、第1の配線12上で第2の配線14,15間の第1,第2の層間絶縁膜13,18 にコンタクトホール19を設け、その側壁に絶縁性のサイドウォール20を形成し、コンタクトホール19を介して第1の配線12に接続する第3の配線21を第2の層間絶縁膜18上に形成したものである。あるいは、コンタクトホール19内に導電性のプラグ(図示せず)を設け、プラグに接続する第3の配線21を形成したものである。

請求項（抜粋）：

基板上に形成した第1の配線と、前記第1の配線を覆う状態に成膜した第1の層間絶縁膜と、前記第1の層間絶縁膜上に形成した複数の第2の配線と、前記各第2の配線上に形成した絶縁膜と、前記各第2の配線と前記絶縁膜とを覆う状態に成膜した第2の層間絶縁膜と、前記第1の配線の所定位置における前記第2の配線間の前記第2の層間絶縁膜と前記第1の層間絶縁膜とに設けたコンタクトホールと、前記コンタクトホールの側壁に形成した絶縁性のサイドウォールと、前記コンタクトホールを介して前記第1の配線に接続するもので、前記第2の層間絶縁膜上に形成した第3の配線とよりなることを特徴とする多層配線構造。

引用特許：

審査官引用 (5件)

特開平2-122650
特開平4-139859
半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-066431 出願人：株式会社東芝

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