高分子化合物、レジスト材料及びパターン形成方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：小島隆司 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-031743
公開番号（公開出願番号）：特開2001-302735
出願日： 2001年02月08日
公開日（公表日）： 2001年10月31日
要約：

【要約】【解決手段】フッ素化された無水マレイン酸及び/又はマレイミドを繰り返し単位として含むことを特徴とする高分子化合物。【効果】本発明のレジスト材料は、高エネルギー線に感応し、200nm以下、特には170nm以下の波長における感度、解像性、プラズマエッチング耐性に優れている。従って、本発明のレジスト材料は、これらの特性より、特にF2エキシマレーザーの露光波長での吸収が小さいレジスト材料となり得るもので、微細でしかも基板に対して垂直なパターンを容易に形成でき、このため超LSI製造用の微細パターン形成材料として好適である。

請求項（抜粋）：

フッ素化された無水マレイン酸及び/又はマレイミドを繰り返し単位として含むことを特徴とする高分子化合物。

IPC (6件)：

C08F222/06 , C08F222/40 , C08K 5/00 , C08L 35/00 , G03F 7/039 601 , H01L 21/027

FI (6件)：

C08F222/06 , C08F222/40 , C08K 5/00 , C08L 35/00 , G03F 7/039 601 , H01L 21/30 502 R

Fターム (101件)：

2H025AA01 , 2H025AA09 , 2H025AB16 , 2H025AC04 , 2H025AC08 , 2H025AD03 , 2H025BE00 , 2H025BE10 , 2H025BG00 , 2H025CB08 , 2H025CB10 , 2H025CB14 , 2H025CB41 , 2H025CB43 , 2H025CB45 , 2H025CC03 , 2H025CC20 , 2H025FA12 , 4J002BG031 , 4J002BH021 , 4J002BK001 , 4J002DF008 , 4J002EB017 , 4J002EB066 , 4J002EB076 , 4J002EB116 , 4J002EB117 , 4J002EC036 , 4J002ED026 , 4J002ED076 , 4J002EE016 , 4J002EE036 , 4J002EH036 , 4J002EH039 , 4J002EH126 , 4J002EH129 , 4J002EH139 , 4J002EH156 , 4J002EJ039 , 4J002EJ049 , 4J002EJ059 , 4J002EJ069 , 4J002EL066 , 4J002EL106 , 4J002EN026 , 4J002EN028 , 4J002EN038 , 4J002EN048 , 4J002EN058 , 4J002EN068 , 4J002EN078 , 4J002EN108 , 4J002EN118 , 4J002EP016 , 4J002EQ017 , 4J002ES017 , 4J002EU028 , 4J002EU048 , 4J002EU078 , 4J002EU118 , 4J002EU128 , 4J002EU138 , 4J002EU148 , 4J002EU228 , 4J002EU238 , 4J002EV217 , 4J002EV237 , 4J002EV238 , 4J002EV247 , 4J002EV297 , 4J002EV328 , 4J002FD207 , 4J002FD310 , 4J002GP03 , 4J100AK33P , 4J100AL08R , 4J100AM42P , 4J100AR03Q , 4J100AR04Q , 4J100AR05Q , 4J100AR09Q , 4J100AR11Q , 4J100BA02Q , 4J100BA03P , 4J100BA03Q , 4J100BA11Q , 4J100BA12Q , 4J100BA16Q , 4J100BA20P , 4J100BA20Q , 4J100BB07P , 4J100BB18P , 4J100BB18Q , 4J100BC03P , 4J100BC03Q , 4J100BC03R , 4J100BC53Q , 4J100BC55Q , 4J100CA04 , 4J100CA05 , 4J100JA38

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