特許
J-GLOBAL ID：200903008597508499
フォトマスクブランク、フォトマスク、及びそれらの製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
阿仁屋 節雄 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-399790
公開番号（公開出願番号）：特開2003-195483
出願日： 2001年12月28日
公開日（公表日）： 2003年07月09日
要約：
【要約】【課題】 フォトマスクブランクを製造するに当たって、反射防止機能を有する層を含む遮光膜の膜応力を低減する。【解決手段】 フォトマスクブランク1は、透明基板2上に、反射防止機能を有する反射防止膜5を含む遮光膜を形成してなる。遮光膜は、反射防止膜5の他に、クロム窒化物からなる第1遮光膜3と、クロム炭化物からなる第2遮光膜4との積層構造を有してなる。この様な遮光膜を、全体としての膜厚が、60ナノメートル〜77ナノメートルの範囲となるよう成膜する。
請求項（抜粋）：
透光性基板上に、反射防止機能を有する反射防止層を含む遮光膜が形成されてなるフォトマスクブランクにおいて、前記遮光膜の膜厚が、60ナノメートル〜77ナノメートルの範囲とされていることを特徴とするフォトマスクブランク。
IPC (2件)：
FI (3件)：
G03F 1/08 Z
, G03F 1/08 K
, H01L 21/30 502 P
2H095BA07
, 2H095BC05
, 2H095BC14
