特許
J-GLOBAL ID：200903008602188570
発光素子及びその作製方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
畑中 芳実
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-296064
公開番号（公開出願番号）：特開2004-134501
出願日： 2002年10月09日
公開日（公表日）： 2004年04月30日
要約：
【課題】従来のフォトニック結晶の作製方法とは異なる方法により設けられた屈折率分布を備え、素子特性に優れている発光素子を提供する。【解決手段】本GaN系半導体レーザ素子30では、リッジ50脇のp型クラッド層46の下部層には、空孔52の一次元の周期的配列からなる屈折率分布構造が形成されている。空孔52は、リッジ50に接近するにつれて径が大きく、深さが深くなっている。寸法の異なる空孔52の一次元の周期的配列により屈折率分布が発光領域の外側に形成される。本GaN系半導体レーザ素子では、寸法の異なる空孔52の一次元の周期的配列による屈折率分布を発光領域の外側に設けることにより、低閾値電流を実現し、レーザ光の強度分布つまりNFPを制御することができる。【選択図】 図3
請求項（抜粋）：
発光層を含む化合物半導体層の積層構造を備えた発光素子において、
結晶欠陥の周期的な分布を有する少なくとも一層の化合物半導体層(以下、結晶欠陥化合物半導体層と言う)を積層構造の発光層近傍に有し、
結晶欠陥化合物半導体層に存在する結晶欠陥の周期的な分布によって、周期的な屈折率分布を発光層近傍に生じさせていることを特徴とする発光素子。
IPC (2件)：
FI (2件)：
Fターム (19件)：
5F073AA11
, 5F073AA12
, 5F073AA45
, 5F073AA55
, 5F073AA89
, 5F073CA01
, 5F073CA07
, 5F073CB01
, 5F073CB07
, 5F073CB10
, 5F073DA05
, 5F073DA22
, 5F073DA24
, 5F073DA35
, 5F073EA02
, 5F073EA16
, 5F073EA18
, 5F073EA23
, 5F073EA29
