特許
J-GLOBAL ID：200903008607068476
MIS型半導体装置とその作製方法
発明者：
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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-323117
公開番号（公開出願番号）：特開平6-267982
出願日： 1993年11月29日
公開日（公表日）： 1994年09月22日
要約：
【要約】【目的】 信頼性の高いMIS型半導体装置を低温プロセスによって作製することを目的とする。【構成】 MIS型半導体装置の作製方法に関し、半導体基板もしくは半導体薄膜に選択的に不純物領域を形成し、ついで、前記不純物領域とそれに隣接する活性領域の境界にもレーザーもしくはそれと同等な強光が照射されるようにして、レーザーもしくはそれと同等な強光を上面から照射することによって、活性化をおこなうことを特徴とする半導体装置の作製方法、およびそのようにして作製された半導体装置。
請求項（抜粋）：
半導体上に絶縁被膜を介して陽極酸化可能な材料によって構成された配線を形成する第1の工程と、前記配線表面を陽極酸化する第2の工程と、陽極酸化後に前記配線部、もしくは、前記配線部により画定された部位を実質的なマスクとして、自己整合的に半導体中に不純物を導入する第3の工程と、不純物領域と活性領域の境界またはその近傍が光照射に対して実質的に透明な状態として、上面よりレーザーもしくはそれと同等な強光を照射することによって、不純物の導入された領域の結晶性を改善せしめる第4の工程とを有することを特徴とするMIS型半導体装置の作製方法。
IPC (3件)：
H01L 21/336
, H01L 29/784
, H01L 21/20
H01L 29/78 311 P
, H01L 29/78 311 G
, H01L 29/78 311 Y
