特許
J-GLOBAL ID：200903008607244584
オートドープおよび裏面欠陥が減少したエピタキシャル堆積用のウェーハ処理ハードウェア
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (3件)：
長谷川 芳樹
, 山田 行一
, 池田 成人
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-238338
公開番号（公開出願番号）：特開2008-072122
出願日： 2007年09月13日
公開日（公表日）： 2008年03月27日
要約：
【課題】基板の前面にエピタキシャル層を形成するためのエピタキシャル堆積プロセス中に、該基板の該前面のオートドープを減少させ、かつ該基板の裏面の欠陥を減少させるエピタキシャル半導体層を堆積するための装置及びその装置を使用するための方法を提供する。【解決手段】調整可能な厚さを有するウェーハギャップ領域を該基板の該裏面とサセプタプレートの間に形成する手段と、該基板の該前面への不活性ガスの流れを抑制または阻害しつつ、該ウェーハギャップ領域からのオートドーパントを該不活性ガスの流れによって換気する手段1206と、該基板の該裏面の表面付近の反応ガスの流れを抑制または阻害しつつ、該基板の該前面の表面に反応ガスを流す手段1205と、を備える。【選択図】 図12
請求項（抜粋）：
サセプタプレート上方に基板をサポートするための装置であって、
基板をサポートするためのウェーハ処理構造であって、
前記基板が前面および裏面を備えており、
前記ウェーハ処理構造が、
ウェーハサポートリングと、
前記ウェーハサポートリングに取り付けられているウェーハホルダー構造であって、前記基板を適所にサポートして処理する、前記ウェーハ処理構造と、
前記ウェーハサポートリングに接触しており、かつサセプタプレート上に位置決めされているスペーサであって、前記スペーサが前記ウェーハサポートリングを前記サセプタプレート上方に位置決めして、前記サセプタプレートと前記基板の前記裏面の間にウェーハギャップ領域を提供する、前記スペーサと、
を備え、
前記ウェーハサポートリングおよび前記スペーサが前記サセプタプレートから取り外し可能である、前記装置。
IPC (3件)：
H01L 21/205
, C23C 16/458
, C23C 16/44
H01L21/205
, C23C16/458
, C23C16/44 B
4K030AA06
, 4K030AA17
, 4K030BA29
, 4K030BB02
, 4K030CA04
, 4K030CA12
, 4K030FA10
, 4K030GA02
, 4K030GA06
, 4K030LA15
, 5F045AA03
, 5F045AB02
, 5F045BB06
, 5F045DP04
, 5F045EM02
