特許

J-GLOBAL ID：200903008607270844

光電変換装置

発明者： 白間 英樹 ,  新楽 浩一郎 ,  千田 浩文
出願人/特許権者： 京セラ株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-331414
公開番号（公開出願番号）：特開2002-141528
出願日： 2000年10月30日
公開日（公表日）： 2002年05月17日
要約：

【要約】【課題】 プラズマCVD法等で形成するシード層たるシリコン薄膜におけるスピン密度を制御することで、この上に堆積される光電変換層の高品質化を促し、光電変換装置の性能を改善することを目的とする。【解決手段】 基板1上に、導電型決定不純物原子の平均濃度が1×1018個/cm3〜1×1022個/cm3である結晶質を含むシリコン薄膜3、光電変換層4、および前記シリコン薄膜3とは逆の導電型の半導体層5を積層して設けると共に、前記シリコン薄膜3と半導体層5に電極2、6を接続して設けた光電変換装置であって、前記シリコン薄膜3中の電子スピン共鳴法で分析したスピン密度が1×1018個/cm3以下であることを特徴とする。

請求項（抜粋）：

基板上に、導電型決定不純物原子の平均濃度が1×1018個/cm3〜1×1022個/cm3である結晶質を含むシリコン薄膜、光電変換層、および前記シリコン薄膜とは逆の導電型の半導体層を積層して設けると共に、前記シリコン薄膜と半導体層に電極を接続して設けた光電変換装置において、前記シリコン薄膜中の電子スピン共鳴法で分析したスピン密度が1×1018個/cm3以下であることを特徴とする光電変換装置。

IPC (3件)：

H01L 31/04 ,  H01L 21/205 ,  C23C 16/24

FI (3件)：

H01L 21/205 ,  C23C 16/24 ,  H01L 31/04 X

Fターム (36件)：

4K030AA03 ,  4K030AA06 ,  4K030AA17 ,  4K030AA20 ,  4K030BA29 ,  4K030BB06 ,  4K030CA05 ,  4K030DA09 ,  4K030JA01 ,  4K030JA05 ,  4K030JA06 ,  4K030JA10 ,  4K030JA16 ,  4K030LA16 ,  5F045AA08 ,  5F045AB03 ,  5F045AC01 ,  5F045AC19 ,  5F045AD05 ,  5F045AD06 ,  5F045AD07 ,  5F045AD08 ,  5F045AE19 ,  5F045AE21 ,  5F045AF07 ,  5F045BB18 ,  5F045CA13 ,  5F045DA59 ,  5F045DA61 ,  5F045DA65 ,  5F051AA03 ,  5F051AA16 ,  5F051CA15 ,  5F051CA34 ,  5F051CA40 ,  5F051GA06