特許
J-GLOBAL ID：200903008607670710
半導体装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
高月 亨
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-055876
公開番号（公開出願番号）：特開平6-021207
出願日： 1991年02月27日
公開日（公表日）： 1994年01月28日
要約：
【要約】本発明の半導体装置の製造方法は、半導体基板1上に形成した溝2以外の部分にエッチバックストップ層3を形成し、埋め込み材料4を形成した後、埋め込み材料4とはエッチング特性の異なる材料5を形成し、ポリシッングにより上記エッチング特性の異なる材料5を埋め込み材料4の凹部41に残し、その後埋め込み材料4をエッチバックして埋め込むことによって、溝2以外の基板部分はエッチバックストップ層3により、また溝2内の埋め込み材料4はこれをエッチング特性の異なる材料5によりエッチバックから保護して、均一で良好な埋め込みを達成するようにしたものである。
請求項（抜粋）：
半導体基板上に溝を形成し、該溝以外の部分にエッチバックストップ層を形成し、埋め込み材料を形成した後、埋め込み材料とはエッチング特性の異なる材料を形成し、ポリッシングにより上記エッチング特性の異なる材料を埋め込み材料の凹部内に残し、その後埋め込み材料をエッチバックして埋め込みを達成する半導体装置の製造方法。
引用特許：
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