特許
J-GLOBAL ID:200903008609031464

有極性ガス検出器

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 八木 秀人
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平6-129232
公開番号(公開出願番号):特開平7-333182
出願日: 1994年06月10日
公開日(公表日): 1995年12月22日
要約:
【要約】【目的】 低い印加電圧で大きな電流変化が得られる有極性ガス検出器の提供。【構成】 有極性ガス検出器は、p型シリコン基板1と、このp型シリコン基板1に対向するように形成された一対のn型半導体層2,2と、p型シリコン基板1とn型半導体層2,2との間に形成された多孔質シリコン層3とから構成されている。一対のn型半導体層2,2は、所定の間隔を隔てて、同一長方形に形成されている。多孔質シリコン層3は、p型シリコン基板1の表面に接触するとともに、各n型半導体層2,2の四周において、長,短辺の側面にそれぞれ接触するように形成されていて、n型半導体層2,2は、多孔質シリコン層3中に埋め込まれた状態になっている。p型シリコン基板1の背面側と、n型半導体層2,2の表面側には、アルミニウム電極層4,4が設けられている。
請求項(抜粋):
n型またはp型シリコン基板と、このシリコン基板に形成されたp型またはn型半導体層と、前記シリコン基板と前記半導体層との間にそれぞれ接触するように形成された多孔質シリコン層とを有することを特徴とする有極性ガス検出器。

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