半導体装置、並びにその動作方法及び製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：若林忠
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-104521
公開番号（公開出願番号）：特開平10-294434
出願日： 1997年04月22日
公開日（公表日）： 1998年11月04日
要約：

【要約】【課題】データを書き込む場合には高速にかつ効率よく強誘電体に電圧を印加することができるとともに、データを読み出す場合には強誘電体分極の劣化を抑えること。【解決手段】ゲート絶縁膜4とドレイン領域3とが重なるゲート・ドレイン重なり部9の幅と、ゲート絶縁膜4とソース領域2とが重なるゲート・ソース重なり部8の幅との和を、ソース領域2とドレイン領域3との間のソース・ドレイン間隔10の1/4以上とする。

請求項（抜粋）：

向い合う電極間の少なくとも一部に強誘電体が挟まれて構成された強誘電体容量と、該強誘電体容量の一方の電極にゲート電極が接続されたMISFETとを有してなる半導体装置において、前記MISFETのゲート電極とドレイン領域とが重なる部分のドレイン・ソース間方向の長さと、前記ゲート電極とソース領域とが重なる部分のドレイン・ソース間方向の長さとの和が、前記ソース領域と前記ドレイン領域との間隔の1/4以上であることを特徴とする半導体装置。

IPC (7件)：

H01L 27/10 451 , H01L 27/108 , H01L 21/8242 , H01L 29/78 , H01L 21/8247 , H01L 29/788 , H01L 29/792

FI (5件)：

H01L 27/10 451 , H01L 27/10 651 , H01L 29/78 301 S , H01L 29/78 301 G , H01L 29/78 371

引用特許：

審査官引用 (8件)

強誘電体メモリー装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-323057 出願人：ソニー株式会社
不揮発性記憶装置
公報種別：公表公報出願番号：特願平7-526357 出願人：シメトリックス・コーポレーション, オリンパス光学工業株式会社
強誘電性メモリ素子及びその駆動方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-142784 出願人：三星電子株式会社

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