特許
J-GLOBAL ID：200903008609466673
超電導量子干渉素子
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
薄田 利幸 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-321742
公開番号（公開出願番号）：特開平5-160453
出願日： 1991年12月05日
公開日（公表日）： 1993年06月25日
要約：
【要約】【目的】素子面積が小さく、寄生成分を減少させた高感度な超電導量子干渉素子、任意の空間における磁束変化の差を検出できる超電導量子干渉素子又はインダクタンスの値の異なる磁束検出用の超電導コイルのいずれに対しても磁束伝達率が向上した超電導量子干渉素子を提供すること。【構成】超電導体薄膜よりなる2層以上の配線層に分けて渦巻部分を作製した磁束入力用の超電導コイル(12)を配置する、超電導リングに対して実質的に略逆方向の磁界を発生する磁束入力用の超電導コイルを超電導リングを挾んで配置する又はインダクタンスの異なる複数個の磁束入力用の超電導コイルを配置する。
請求項（抜粋）：
基板上に設けられた、ジョセフソン接合部を有する超電導リングと、これに磁気的に結合し、かつ磁束検出用の超電導コイルが接続されるための磁束入力用の超電導コイルとを有する超電導量子干渉素子において、上記磁束入力用の超電導コイルは、超電導体薄膜よりなる複数の配線層に分けて配置されたことを特徴とする超電導量子干渉素子。
IPC (2件)：
H01L 39/22 ZAA
, G01R 33/035 ZAA
