窒化物半導体装置およびその製造方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：新居広守
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-244508
公開番号（公開出願番号）：特開2009-076694
出願日： 2007年09月20日
公開日（公表日）： 2009年04月09日
要約：

【課題】放熱性が極めて良好で、かつ、結晶性が良好なGaN系材料を用いたデバイス、および、その製造方法を提供する。【解決手段】窒化物半導体装置の製造方法であって、シリコン基板60の表面にダイヤモンド層61を気相成長させるステップと、ダイヤモンド層61の表面にSOI基板62を圧着するステップと、SOI基板62を薄層化する薄層化ステップと、薄層化されたSOI基板62上に、GaN層をエピタキシャル成長させるステップと、シリコン基板60を除去するステップと、シリコン基板60より熱伝導率の大きい材料をダイヤモンド層61の裏面に圧着するステップとを含み、SOI基板62は、最表面層621とシリコン酸化層622とを有し、前記薄層化ステップにおいて、選択的にシリコン酸化層622までを除去し最表面層621のみを残してSOI基板62を薄層化する。【選択図】図6

請求項（抜粋）：

窒化物半導体装置であって、基板と、前記基板上にあって、前記基板より熱伝導率が高い高熱伝導率層と、前記高熱伝導率層の上の中間層と、前記中間層の上のGaN系エピタキシャル層とを備えることを特徴とする窒化物半導体装置。

IPC (7件)：

H01L 21/338 , H01L 29/778 , H01L 29/812 , H01L 21/02 , H01L 21/20 , H01L 21/205 , H01L 21/306

FI (5件)：

H01L29/80 H , H01L21/02 B , H01L21/20 , H01L21/205 , H01L21/306 B

Fターム (47件)：

5F043AA02 , 5F043BB02 , 5F043DD07 , 5F043GG10 , 5F045AA04 , 5F045AA08 , 5F045AB07 , 5F045AB14 , 5F045AB17 , 5F045AC01 , 5F045AD12 , 5F045AF03 , 5F045AF04 , 5F102FA00 , 5F102GB02 , 5F102GC01 , 5F102GD01 , 5F102GJ00 , 5F102GJ03 , 5F102GK04 , 5F102GL04 , 5F102GM04 , 5F102GQ01 , 5F102GR01 , 5F102GV08 , 5F102HC01 , 5F102HC07 , 5F102HC15 , 5F152LL03 , 5F152LL04 , 5F152LL05 , 5F152LN02 , 5F152LN04 , 5F152LN27 , 5F152LP02 , 5F152LP08 , 5F152MM01 , 5F152MM05 , 5F152MM07 , 5F152NN02 , 5F152NN03 , 5F152NN19 , 5F152NN27 , 5F152NP02 , 5F152NP03 , 5F152NP09 , 5F152NQ09

引用特許：

出願人引用 (1件)

特許第3481427号公報

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